南方半导体 碳化硅MOSFET
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南方半导体碳化硅MOSFET选型帮助
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美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC MOSFET SIC Diode
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SL
【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
产品 发布时间 : 2023-11-27
澎芯半导体碳化硅MOSFET选型表
澎芯半导体提供以下技术参数的碳化硅MOSFET选型，Vds为1200V，Rdson(Tj=25℃)范围为40mΩ~75mΩ，ID覆盖30A~76A，封装包含TO-247-4 、TO-263-7、TO-247-3。
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产品型号
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品类
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Vds(V)
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Rdson(mΩ)(Tj=25℃)
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ID(A)
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Package
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应用等级
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ROHS指令
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P1M60120D
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碳化硅MOSFET
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1200V
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60mΩ
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40A
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TO-247-3
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工业级
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ROHS
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选型表 - 澎芯半导体 立即选型>>
基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南（中英文）
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链，推出通过 AEC-Q101 可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的 1200V 碳化硅 MOSFET 以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品。Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., the leading enterprise of Wide-band Gap semiconductor industry in China.BASiC master the global advanced core technology of SiC. The R&D fields cover the whole industrial chain of SiC power devices.
型号- BC1D12065,B1D30065HC,B1D16120HC,B1D04065KF,B1D15065K,B2D15065K,BC1M018120,B1D03120E,BMF450R08PC4,B2D40065HC,BC1D06065,BMS600R12HWC4,B1D10065K,B1D10065
更多的研发和供应服务
【产品】采用TO-247-3封装的碳化硅MOSFET SL42N120A，工作结温最高175℃，最大耗散功率300W
萨科微半导体有限公司推出一款采用TO-247-3封装的碳化硅MOSFET SL42N120A，工作结温最高175℃，最大耗散功率300W,可用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源 。
产品 发布时间 : 2022-04-29
【元件】蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
近日，NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
产品 发布时间 : 2024-03-11
“第三代半导体产业新星”基本半导体致力于碳化硅芯片技术和生产工艺研究，获得多个国内第一！
自2016年6月成立以来，基本半导体致力于碳化硅芯片技术和生产工艺的研究，先后解决多项关键核心技术难题，率先推出国产1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，并取得了多个国内第一。
厂牌及品类 发布时间 : 2021-08-31
基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展
基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品亮相第38届日本国际电子科技博览会。基本半导体重点展示了自主研发的汽车级＆工业级碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET及二极管、门极驱动器、门极驱动芯片等产品，充分展示了公司在碳化硅功率器件领域的领先技术和创新能力。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-03-07
【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
目录- SiC碳化硅肖特基二极管
型号- G4S06520BT,G5S6506Z,G5S12016B,G4S06508HT,G3S06510C,G3S06510D,G3S06510A,G4S12020D,G3S06510B,G5S12015P,G3S17050PM,G3S12003R,G4S06506CT,G5S06508AT,G5S120
【技术】SiC科普小课堂 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)构成情况 ∣ 视频
今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题，为大家介绍其RDS(on)的构成情况，以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。
技术探讨 发布时间 : 2023-08-10
SMC碳化硅MOSFET功率器件，高频高效，稳定可靠
SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅MOSFET功率器件，包括S2M0120120K/D、S2M0160120K/D、S2M0080120N等多种型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。
产品 发布时间 : 2024-03-04
基本半导体携碳化硅MOSFET新品、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅二极管、驱动IC等亮相SNEC国际光伏展
日前，SNEC第十六届（2023）国际太阳能光伏与智慧能源大会在上海新国际博览中心重磅举行。基本半导体携旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品，以及全系汽车级碳化硅功率模块、碳化硅二极管、驱动IC、功率器件驱动器等产品亮相展会 。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-05-30
先进光半导体的APV278A碳化硅MOSFET概述、特性及应用
碳化硅MOSFET是什么？在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，例如：先进光半导体的APV278A就是碳化硅MOSFET典型代表。
产品 发布时间 : 2023-11-27
蓉矽半导体携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管等产品和应用场景亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛
作为专注碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业，蓉矽半导体将将携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管EJBSTM及理想硅基二极管MCR®和直流充电桩、光伏逆变器、便携式储能电源等应用场景参加，并借助这一优质平台与企业代表、各位嘉宾探讨行业发展，进一步推动产业发展。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-12-27
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D0600
国内唯一可量产碳化硅MOSFET的基本半导体承办第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”
深圳基本半导体总经理和巍巍在论坛上表示，国内第三代半导体碳化硅发展一直紧跟世界前沿，但在汽车设计和制造方面，和国际的先进水平还有一定的差距。目前，国内有几所大学可以制造器件样品，有部分公司可以量产二极管，但仅有基本半导体可量产碳化硅MOSFET，基本半导体未来将继续加大研发投入，加强技术创新，致力于铸造第三代半导体碳化硅的中国“芯”。
行业资讯 发布时间 : 2019-09-24
NOVUSEM碳化硅（SiC）MOSFET 选型表
NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅（SiC）MOSFET 选型表参数选型：额定电压1200V；额定电流47～214A；最大连接温度175℃。
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产品型号
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品类
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额定电压（V)
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VGS,op（V)
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RDS(ON)at25℃(mΩ)
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次代
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额定电流(A)
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Qg（typ）(nC)
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Coss (typ)(pF)
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PD(W)
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最大连接温度(℃)
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封装
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可靠性
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NC1M120C12HT
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SiC MOSFET
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1200V
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-5/+20V
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12mΩ
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Gen 1
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214A
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577nC
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343pF
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938W
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175℃
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TO-247-4
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Industrial
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选型表 - NOVUSEM 立即选型>>
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解析碳化硅MOSFET选型着重考虑的4个方面
碳化硅MOSFET的选型你瞭解吗？碳化硅MOSFET是一种高性能、高可靠性的电力半导体器件，广泛应用于高压、高频和高温的场合。在选型碳化硅MOSFET时，需要着重考虑四个方面，本文中优恩半导体将为大家详细解析。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-01
【技术】SiC科普小课堂：为什么说碳化硅MOSFET适合高压、高温、高功率密度应用？∣ 视频
众所周知，与硅材料相比，碳化硅材料在禁带宽度、临界击穿电场、热导率、电子饱和漂移速率等诸多方面有着更为优越的特性，使得碳化硅功率器件可广泛应用于高压、高温、高功率密度的场合中。这其中的根本原理是怎样的？
技术探讨 发布时间 : 2023-06-20
瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南
目录- 碳化硅（SiC）MOSFET 碳化硅产品概览 碳化硅（SiC）肖特基二极管 碳化硅功率模块 公司简介 产品应用 栅极驱动芯片 图腾柱 PFC 控制芯片 产品可靠性测试规范
型号- IV2Q12040BD,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV1Q12017T4ZG,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q06060BD
【元件】基本半导体于2023年全球最大功率半导体展会PCIM发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
基本半导体新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能。
新产品 发布时间 : 2023-05-13
【产品】基本半导体推出通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET
基本半导体采用业内最成熟可靠的平面栅工艺，结合自身技术优势和特点，开发出了高可靠性、各项技术指标优异的1200V系列碳化硅MOSFET，特别是在器件短路耐受能力方面，基本半导体运用其独有的技术优势，将器件的短路耐受时间提升到6μs级别，给工程师应用带来更多选择的同时，大大降低了驱动保护电路的设计成本和要求。
新产品 发布时间 : 2019-06-30
【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。
设计经验 发布时间 : 2019-12-17
【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12
Littelfuse（力特） LSIC1MO120E0160 碳化硅MOSFET官方数据手册
描述- LSIC1MO120E0160（160 mOhm）碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET
型号- LSIC1MO120E0160,C2M0160120D,SCT2160KE
【产品】超低导通电阻的1200V碳化硅MOSFET
Littelfuse推出的LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。
新产品 发布时间 : 2018-05-24
美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展
2020年8月16至18日，美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。
行业资讯 发布时间 : 2020-08-25
【技术】碳化硅MOSFET的三大特性
澎芯半导体是一家专注于碳化硅（SIC）功率半导体器件研发的高科技芯片公司，专业从事SIC功率器件的研发与产业化。SiC-MOSFET是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。碳化硅（SiC）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。
技术探讨 发布时间 : 2023-09-20
【经验】采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
在实际应用中，基本半导体发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动设计。
设计经验 发布时间 : 2022-09-01
【产品】瞻芯电子碳化硅MOSFET IV1Q1207T4ZG获AEC-Q101认证，最大电流111A
2022年11月2日，瞻芯电子开发的1200V 17mΩ的碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）通过了车规级可靠性认证（AEC-Q101），该产品为TO247-4封装，最大电流（Ids）可达111A，专为汽车电子而设计。
产品 发布时间 : 2022-11-08
蓉矽携碳化硅MOSFET、二极管EJBS™、理想硅基二极管MCR®等产品亮相慕尼黑华南电子展
11月1日，2023慕尼黑华南电子展 （electronica South China）在深圳圆满落幕。蓉矽半导体携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管EJBS™、理想硅基二极管MCR®产品系列及新能源汽车、储能应用技术亮相展会。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-11-07
Littelfuse（力特） LSIC1MO120E0120碳化硅MOSFET官方数据手册
描述- LSIC1MO120E0120碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。
型号- LSIC1MO120E0120
派恩杰半导体深耕碳化硅MOSFET领域，荣获浙江省“专精特新”称号
喜报5月4日，杭州市经济和信息化局发布了2023年度第一批浙江省专精特新中小企业名单，经专家评审和综合评估，派恩杰半导体(杭州)有限公司从众多企业中脱颖而出，入选2023年度浙江省首批专精特新中小企业。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-05-12
【产品】首款碳化硅MOSFET产品系列，可在电力电子应用中实现超高速切换
Littelfuse推出收个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列LSIC1MO120E0080，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。
新产品 发布时间 : 2017-10-10
The Leader in High Temperature Semiconductor Solutions CHT-NEPTUNE High-Temperature1200V/10A, Silicon Carbide MOSFET
型号- CHT-PLA8543C-TO257-T,CHT-PLA8543C,CHT-PLA8543D-TO257,CHT-NEPTUNE,CHT-PLA8543C-TO257
世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
签约新闻 发布时间 : 2023-09-06
基本半导体携碳化硅系列年度新品与功率器件整体解决方案亮相2023基本创新日震撼发布
10月26-27日，以“创芯致远，共赢未来”为主题的2023基本创新日活动在深圳隆重举办。基本半导体总经理和巍巍博士在会上正式发布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-10-30
森国科凭借前沿的设计能力荣登了中国SiC功率器件设计十强榜单，现有碳化硅二极管和碳化硅MOSFET已达国际标准
2023年伊始，由行家说三代半和行家说Research主办的全球第三代半导体产业发展高峰论坛在深圳拉开了帷幕，探讨产业的最新技术、应用经验与发展趋势，共同探索全球低碳经济高质量发展的有效路径。森国科凭借前沿的设计能力荣登了中国SiC功率器件设计十强榜单！
厂牌及品类 发布时间 : 2023-01-11
澜芯半导体将携最新碳化硅功率芯片器件参加第七届国际碳材料大会暨产业展览会--碳化硅半导体论坛
2023国际碳材料大会暨产业展览会——＜碳化硅半导体论坛＞诚挚邀请上海澜芯半导体的马彪先生，为大家讲述SiC MOSFET设计的现状和挑战！上海澜芯半导体有限公司具体产品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET产品。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-10-17
基本半导体携汽车级碳化硅功率模块、MOS及门极驱动芯片等产品出海亮相IAA MOBILITY 2023
日前，全球领先的出行行业交流平台德国国际智慧出行博览会（IAA MOBILITY 2023）在德国慕尼黑正式拉开帷幕。基本半导体携旗下全系汽车级碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET、门极驱动芯片等产品出海亮相这一行业盛会。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-09-13
面对极端温度环境，CISSOID提供车规级碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模块等产品
7月，来自比利时的高温半导体解决方案供应商CISSOID正式与世强硬创电商签署授权代理协议，授权其代理旗下智能功率模块IPM、集成电路、分立器件等产品。CISSOID致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案，旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C，部分产品可达+225°C。
公司动态 发布时间 : 2021-08-10
基本半导体携汽车级碳化硅功率模块、碳化硅二极管、驱动IC、驱动板等产品精彩亮相2023上海车展
2023年4月18-27日，基本半导体携旗下全系汽车级碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、驱动IC、驱动板等产品亮相上海车展，收获了众多行业人士、厂商和专业媒体的关注和认可。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-04-29
蓉矽半导体即将携碳化硅光伏、储能等应用解决方案亮相EESA第二届中国国际储能展！
2023年8月30日-9月1日，蓉矽半导体将参加在苏州国际博览中心举办的EESA第二届中国国际储能展览会暨第十届中国国际光储充大会。蓉矽半导体将携碳化硅光伏、储能等应用解决方案亮相，为绿色未来注入强劲动力。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-08-30
基本半导体将加快研发更高功率密度、更大电压电流等级的碳化硅功率器件，实现碳化硅功率器件的自主可控、国产替代
近日，国内第三代半导体行业领军企业——深圳基本半导体宣布了一则重磅消息：一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车，至今已累计无故障行驶120天、运行里程超过1万公里！
行业资讯 发布时间 : 2019-10-02
基本半导体亮相第二十届中国国际半导体博览会，率先发力新能源汽车应用领域，并推出汽车级全碳化硅功率模块系列产品
由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的第二十届中国国际半导体博览会（IC China 2022）在合肥盛大举行，基本半导体闪耀亮相。基本半导体展示的全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等产品，提供行业标准封装。
厂牌及品类 发布时间 : 2022-11-23
【选型】基本半导体推出面向面向光伏及储能领域的碳化硅功率器件，电压达1200V
基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
器件选型 发布时间 : 2023-03-23
第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰完成数千万融资，发力车用碳化硅领域
第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰半导体(杭州)有限公司近日完成了数千万元天使轮融资。派恩杰是目前国内唯一自研并向市场广泛推广碳化硅SBD+MOS系列产品线的供应商，主打的碳化硅MOSFET产品平均比国内同行领先3-5年，关键性能参数达到全球一流水准。
厂牌及品类 发布时间 : 2021-03-10
基本半导体碳化硅功率器件系列产品以及碳化硅应用亮相2020慕尼黑上海电子展
7月3日至5日，有着“中国电子行业风向标”之称的慕尼黑上海电子展隆重举行基本半导体首次亮相“慕展，”基本半导体碳化硅功率器件系列产品以及碳化硅应用产品悉数亮相、
行业资讯 发布时间 : 2020-07-09
森国科凭借其核心竞争力的碳化硅功率器件产品，荣获中国半导体市场最佳碳化硅功率器件产品奖
日前，2022世界半导体大会暨南京国际半导体博览会在南京盛大开幕！森国科凭借极具核心竞争力的碳化硅功率器件产品荣获“2021-2022年度中国半导体市场最佳碳化硅功率器件产品奖”。
厂牌及品类 发布时间 : 2022-08-26
基本半导体完成数亿元B轮融资，重点拓展车规级碳化硅功率模块的研发和量产，打造行业领先的碳化硅IDM企业
2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研发及产业化的国内第三代半导体行业领军企业基本半导体宣布完成数亿元人民币B轮融资，所融资金将主要用于加强碳化硅器件的核心技术研发、重点市场拓展和制造基地建设，特别是车规级碳化硅功率模块的研发和量产。
厂牌及品类 发布时间 : 2021-01-14
【应用】汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6成功应用于埃安Hyper SSR超跑，工作电压900V
埃安独创的两档四合一高性能电机选用基本半导体汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，支持900V工作电压，采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片。
应用方案 发布时间 : 2022-09-21
威兆半导体（Vergiga Semiconductor）功率MOSFET/IGBT/SiC MOSFET选型表
目录- Power MOSFET Power SiC MOSFET IGBT
型号- VS4620DP-G,VS1891GUH,VSO008N06MS-K,VS4604DT,VS1696GUH,VS3618AE,VS3618AD,VS3625DP2-G,HCCW120R080H1,VS3618AH,VSP1R1N04HS-G,VSF380N65HS,VS3618AP,VS3618AS
基本半导体(BASiC)与科锐/英飞凌/ST/安森美 碳化硅JBS/碳化硅MOSFET产品型号对照表
型号- FFSH10120A,C4D40120D,B1D30065HC,B1D16120HC,FFSH40120ADN-F155,SCS308AM,B1D15065K,FFSH4065ADN-F155,STPSC10120,FFSP1665A,STPSC20065D,STPSC8H065B,STPSC8H0
碳化硅MOSFET动态性能测试板用户手册
型号- SDN-414-010,UCC23513,WNSCM80120W,SI826X,MKP1848S,WNSC2D101200W,TPS7A39,WNSCM160120W,E2424S-2WR3
你好，国产的碳化硅MOSFET,现在有40毫欧的吗？我目前有个电驱项目想试试。
可以评估基本半导体的B1M032120HC，详情：/doc/2133909.html
技术问答 发布时间 : 2021-02-02
先导中心已成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，完成SiC MOSFET量产平台的打造
陕西半导体先导技术中心日前已完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造，MOSFET器件系列产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，目前已经成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，其中多款产品填补了国内空白。
厂牌及品类 发布时间 : 2021-08-04
【产品】1700V SiC MOSFET栅极驱动板，为第三代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体量身定做
Wolfspeed将最先进的SiC MOSFET技术引入新型低电感离散封装中，从而扩大了在SiC技术领域的领先地位。其推出的CGD15SG00D2系列产品是第三代SiC MOSFET栅极驱动板,重9g，为第三代(C3M)碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)量身定做。具有短路保护功能，其电源供电采用隔离电源设计，输入到输出隔离电压的典型值为±1700V。
新产品 发布时间 : 2018-06-16
HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- MOSFET Product Introduction 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装 碳化硅肖特基二极管 公司简介 VDMOS
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5
国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关，建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线
国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，经过集智攻坚，团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-03-04
国基南方携以新一代碳化硅MOSFET为代表的关键元器件亮相2023上海车展
第二十届上海国际汽车工业展览会在国家会展中心（上海）举行，国基南方携以新一代碳化硅MOSFET为代表的关键元器件亮相车展，集中展现在新能源汽车核心芯片领域的自主创新成果，受到了观展嘉宾、展商企业和中央主流媒体的广泛关注。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-04-28
国基南方研制的碳化硅MOSFET芯片已成功在百万辆新能源汽车上批量应用
国基南方、55所研制的碳化硅MOSFET芯片已成功在百万辆新能源汽车上批量应用。于2022年成功推出第二代，与第一代产品相比，面积减少30%，导通损耗降低15%，电能转换效率显著提升，已获得新能源汽车龙头企业规模化应用。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-04-15
【选型】国产碳化硅MOSFET WM1A080120K可PIN-PIN替换C2M0080120D，工作结温更高
目前太阳能逆变器的高压DC/DC中主流产品有科锐（WOLFSPEED）C2M0080120D，对于光伏产业的大力发展，SIC MOSFET用量也在不断增加，需要一款成本更低、货源更稳定的产品作为替换。本文推荐中电国基南方的碳化硅SiC MOSFET WM1A080120K，该产品可pin-pin替代C2M0080120D，能够达到更高的工作温度-55℃到175℃，具有更低的开启电压2.3V。
器件选型 发布时间 : 2020-07-04
美浦森将携N沟道MOSFET和碳化硅MOS亮相2021亚太国际电源展，相关性能达行业领先水平
2021年第十一届亚太国际电源产品及技术展会即将在11月18-20日开展，美浦森与您相约2021亚太国际电源展。美浦森半导体MOSFET和碳化硅系列产品，在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居等领域得到广泛应用。
厂牌及品类 发布时间 : 2021-11-18
ROHM碳化硅MOSFET为Midnite Solar四款太阳能充电控制器提供高效率、低成本解决方案
ROHM近日宣布，各种可替代能源产品的领先制造商Midnite Solar公司采用ROHM的碳化硅MOSFET来提高效率和降低系统成本。Midnite Solar在其新的太阳能产品系列中使用了ROHM的60mΩ RDS(on)碳化硅器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。
厂牌及品类 发布时间 : 2021-02-15
华轩阳电子17款电压等级从650至1700V不等的碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域
碳化硅（SiC）功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。华轩阳电子研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列，这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围，以及TO247封装形式，为不同应用需求提供了最佳解决方案。
应用方案 发布时间 : 2024-04-10
【产品】FL06100系列650V/100mΩ碳化硅MOSFET，可兼容标准栅极驱动器，具有高雪崩耐受能力
即思创意推出FL06100系列碳化硅MOSFET（650V，100mΩ），可兼容标准栅极驱动器，具有高雪崩耐受能力及高可靠性，大大提高系统效率，采用薄型低寄生电感封装，结温/储存温度为-55℃至175℃，应用前景广阔。
产品 发布时间 : 2023-03-01
ROHM碳化硅MOSFET管SCT2080KE的结温可以达到多少？
ROHM碳化硅MOSFET管SCT2080KE的结温可以达到175℃。
技术问答 发布时间 : 2019-05-28
【产品】国产N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT4，规格为1200V/30A
爱仕特推出了一款N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT4，其采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。绝对最大额定值(Tc=25°C)方面，其漏源电压为1200V，Tc=25°C时的漏极电流（连续）为30A。
产品 发布时间 : 2022-08-13
【产品】碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，额定电压为1700V，1 Ohm
2018年9月24日，Littelfuse碳化硅(SiC) MOSFET LSIC1MO170E1000 额定电压为1700 V，1 Ohm，采用TO-247-3L封装。专为高频、高效应用优化，极低栅极电荷和输出电容，低栅极电阻，适用于高频开关。
新产品 发布时间 : 2018-09-11
SMC整流桥、碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等多种规格产品可用在可编程电源架构上
SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。本文介绍SMC产品在可编程电源架构上的应用。
应用方案 发布时间 : 2024-03-09
即思创意（fastSiC）碳化硅MOSFET和肖特基二极管选型指南
目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06
【经验】碳化硅的Mosfet如何更好解决静电问题？
碳化硅的MOSFET相比传统硅MOSFET具有更高的击穿电场强度和较低的漏电流。因此在一定程度上能够更好地抵御静电问题。本文音特电子将介绍碳化硅的Mosfet如何更好解决静电问题？
设计经验 发布时间 : 2023-06-23
关于碳化硅MOSFET驱动电路的详细分析
这篇文章我们重点讨论一下碳化硅MOSFET的驱动电路的设计考虑。包括碳化硅MOSFET隔离驱动要求、碳化硅MOSFET的驱动电流及驱动损耗计算、碳化硅MOSFET的驱动电流PCBlayout基本原则、碳化硅MOSFET的并联设计考虑、碳化硅MOSFET的寄生开通效应及改善措施、碳化硅MOSFET在短路保护上的考虑和碳化硅MOSFET功率器件封装上的考虑等内容。
设计经验 发布时间 : 2024-02-21
【元件】爱仕特新品40A/1200V碳化硅MOSFET D02系列可作Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET备选
爱仕特新款碳化硅MOSFET D02，导通电阻为45mohm，额定电流为40A，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。D02采用双边扁平无引脚封装结构，且背面金属焊面更大，降低了内阻，散热性能也得到大幅度提升。
新产品 发布时间 : 2023-02-14
【技术】碳化硅MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点
本文中芯众享将为大家分享碳化硅MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点。
技术探讨 发布时间 : 2023-08-07
TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦。同时，TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封装）的开关速度会比TO-247-3封装的更快，开关损耗更小。
设计经验 发布时间 : 2024-02-19
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安
可定制ATA TE Cooler的冷却功率范围：35~800W；控温精度：≦±0.1℃；尺寸：冷面：20*20到500*300；热面：60*60到540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1
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