XDM IGBT单管选型表
芯达茂提供以下技术参数的IGBT单管选型,电压范围600V-1200V,电流范围6A-75A,工作温度范围-40-175℃,具有更低开关损耗,更高功率转换效率。
产品型号
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品类
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Vᴄᴇ(V)
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Iᴄ(A)
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Vɢᴇs(V)
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Operating Temperature Range(℃)
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XD015H120CX1S3
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IGBT单管
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1200V
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15A
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±20V
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-40℃~175℃
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选型表 - XDM 立即选型>>
XD020H065CX1L3,XD020H065CX1H3, XD020H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT
型号- XD020H065CX1H3,XD020H065CX1L3,XD020H065CX1S3
芯达茂将携SiC、IGBT等众多新优产品亮相第103届中国电子展,助力产业发展
第103届中国电子展将于4月9-11日在深圳会展中心举办,本届展览汇集以基础电子元器件为技术牵引,拓展物联网、智能制造、5G、特种电子、新能源汽车、大数据等核心技术的应用创新。展会上,芯达茂将携SiC、IGBT等众多新优产品亮相,诚邀广大客商朋友前来参观交流。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-03-30
芯达茂应邀出席“第二届深圳数字能源技术全网最大下注平台(中国)有限公司”并发表《SiC在新能源市场的机遇与挑战》的主题演讲
2023年7月6日,芯达茂微电子受邀出席第二届深圳数字能源技术全网最大下注平台(中国)有限公司。会上,芯达茂副总李邦能做了《SiC在新能源市场的机遇与挑战》的主题演讲,从SiC的主要应用领域、SiC的挑战、SiC的优劣势等多个维度阐述了SiC在新能源市场中的重要地位及存在的问题。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-07-12
更多的研发和供应服务
XDM直流变频空调马达解决方案采用三相弦波驱动技术,具有环保、节能,舒适等特点
直流变频空调马达采用三相弦波驱动技术,可有效降低运转时的振动及噪音,并结合电力电子技术对马达电机进行变频控制,达到最佳的效能,进而提高环保节能及舒适的生活质量。
应用方案 发布时间 : 2024-02-29
XD015H065CX1L3,XD015H065CX1H3,XD015H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT
型号- XD015H065CX1L3,XD015H065CX1S3,XD015H065CX1H3
XP200HFN120AT1R6 62mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP200HFN120AT1R6
XD2R5S010AK1R3,XD2R5S010AK1L3,XD2R5S010AK1S3 180A,100V N-CHANNEL POWER MOSFET
型号- XD2R5S010AK1L3,XD2R5S010AK1S3,XD2R5S010AK1R3
芯达茂出席2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛,分享IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势
近日,2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛在深圳市南山区三诺智慧大厦隆重举行,XDM芯达茂应邀出席本次论坛。会上,芯达茂微电子副总经理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势。新能源汽车、充电桩、光伏、储能,以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要应用领域,SiC芯片价格降低、SiC器件性能优化,以及功率模块封装优化都是碳化硅功率器件面临的挑战。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-12-09
芯达茂入选化合物半导体价值之星,以创新为核心驱动力,助力提升化合物半导体产业化水平
2023年11月27日~30日,第九届国际第三代半导体论坛、第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心盛大举行。论坛上发布了“2023半导体企业创新榜”,XDM芯达茂荣获“化合物半导体价值之星”的荣誉。创新驱动未来,卓越铸就辉煌。芯达茂以创新为核心驱动力用品质传递企业价值在破浪前行中探索新的世界为国创“芯” ,卓越全球。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-12-07
XP050PCE120AT1E2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP050PCE120AT1E2
XP075PCE120AM1E3 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP075PCE120AM1E3
XP075HFN120AT1R3 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP075HFN120AT1R3
XP100HFN120AT1R3 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP100HFN120AT1R3
XP600PTG12AAH1-AA HPD module with Trench/Field stop IGBT and Fast recovery diode and NTC
型号- XP600PTG12AAH1-AA
XP150HFN120AT1R3 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP150HFN120AT1R3
XP150PCE120AT1E3 Discrete With Trench / Field Stop IGBT,Ultra Fast Recovery Diode.
型号- XP150PCE120AT1E3
XP300HFN120AT1R6 62mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP300HFN120AT1R6
XP900PTG08AAH1-AA HPD module with Trench/Field stop IGBT and Fast recovery diode and NTC
型号- XP900PTG08AAH1-AA
XP450HFN120AT1R6 62mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP450HFN120AT1R6
XP450HFN120AT2R6 62mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP450HFN120AT2R6
【产品】1200V/15A的IGBT XW15G120CX0,采用场截止沟道技术,具有开关损耗低的特点
XDM推出的采用场截止沟道技术的IGBT XW15G120CX0,产品具有开关损耗低,具有低VCE(sat)和正向温度系数的特点,该产品采用无铅电镀技术,符合RoHS标准,可广泛应用于变频器、不间断电源、空调、电机驱动器等应用领域。
产品 发布时间 : 2022-12-15
XP050PCG12ABE3-A PIM with Trench Field Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP050PCG12ABE3-A
芯达茂微电子与著赫半导体举行战略合作签约仪式,为新能源领域提供高质量高可靠性的国产替代解决方案
厦门芯达茂微电子有限公司与著赫半导体有限公司顺利举行战略合作签约仪式。双方公司在未来的发展规划、市场布局进行了详细的交流,在外贸形势较为严峻的大环境下,如何研发制造出大功率、高水准、具有独特知识产权的产品是破局的关键,为新能源领域提供高质量、高可靠性的国产替代解决方案。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-08-26
Element集团一行访问芯达茂,双方将开拓更多新兴合作领域,更好地促进合作共赢
2023年6月30日,Element集团与芯达茂董事长徐会龙、总经理刘卫光、CTO蔡铭进、常务副总韩菊妹、研发副总徐守一在上海会面,双方就未来的合作展开了交流和讨论,谈话内容涵盖IGBT联合研究、贸易合作、技术与设备培训、晶圆厂合作等方面。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-08-04
XP015PJE120AT1B1 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP015PJE120AT1B1
XP015PJS120CL1B1 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP015PJS120CL1B1
XP075HFN120CT1R3 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode
型号- XP075HFN120CT1R3
XP075PCE120AL1E3 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP075PCE120AL1E3
芯达茂携IGBT系列、SiC系列等产品亮相2023中国(厦门)传感器与应用技术大会暨展览会
2023中国(厦门)传感器与应用技术大会暨展览会圆满举办!展会期间,厦门芯达茂微电子携IGBT系列、SiC系列等产品亮相本次盛会。IGBT与传感器都被广泛应用在储能领域当中,IGBT为储能逆变器的上游原材料,决定了储能逆变器的性能,在储能领域中的主要作用为变压、变频、交直流转换等,是储能应用中不可缺少的器件。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-10-29
XP035PJE120AT1B2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC
型号- XP035PJE120AT1B2
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